Тайминги оперативной памяти – инструкция по настройке

В данном руководстве подробно о том, что такое тайминг оперативной памяти, какие тайминги ОЗУ лучше задавать для ddr4 или ddr5.

Тайминги оперативной памяти – это набор параметров, измеряемых в тактах шины, которые определяют задержки при доступе к данным в модулях RAM. Они показывают, сколько времени требуется памяти для выполнения различных операций, таких как чтение или запись. Чем ниже значения таймингов, тем быстрее память откликается на запросы процессора, однако слишком агрессивные настройки могут привести к сбоям.

⚡Важно: Не превышайте вольтаж DRAM Voltage (VDIMM) выше 1.35В.

Тайминги ОЗУ записывается в виде последовательности чисел, таких как 15-15-15-36, где каждое число, это задержка в тактах шины памяти и означает:

• CL (CAS Latency) – самый важный параметр, отвечающий за задержку между отправкой команды и началом передачи данных.
• tRCD (RAS to CAS Delay) – время задержки между активацией строки памяти (RAS) и чтением или записью столбца (CAS).
• tRP (Row Precharge Time) –минимальное время необходимое для закрытия строки памяти и открытие новой.
• tRAS (Row Active Time) – минимальное время, пока строка остаётся открытой для операций.
• tRC (Row Cycle Time) – минимальное время от активации строки памяти до следующей активации той же строки или её автоматического обновления. Значение измеряется в тактах и по формуле tRAS+tRP.
• Command Rate CR (1T/2T) — задержка между отправкой команд (чем меньше, тем лучше).

📌Пример: 15CL-15tRCD-15tRP-36tRAS-tRC51-1T–> это количество тактoв (clock cycles), а не время в секундах. Обычно последние два значения не учитывают tRC и CR при подсчетах, так как они автоматические исходя из текущих данных. Проверить можно при помощи утилиты CPU-Z.

Как высчитать задержку памяти в наносекундах

Начнем вывод формулы, но многие пользователи в диспетчере задач Windows 11/10 видели характеристику (пример ниже на изображении) память в графе "Скорость" 2133 МТ/c и думали, что это частота, но не так. МТ/c – это "мегатрансферы в секунду", которая обозначает количество операций передачи данных (трансферов) в секунду. Чтобы понять на какой частоте в данный момент работает оперативная память нужно МТ/c разделить на 2. В моем случае это 1066 МГц. Стоит учесть, что у меня в BIOS выставлено автоматически, но лучше выставить вручную, чтобы не было потом проблем.

⚠️Даже, если в диспетчере задач будет написано МГц, это будет означать, что показатель все ровно будет в МТ/c и нужно делать на 2. Лучше проверить через утилиту CPU-Z, если нужно знать реальную частоту МГц. Также в BIOS показатель будет указан в МГц, но по факту это будет МТ/c. Учтите данные моменты.

❗Частота в формуле ниже – это реальная, а не эффективная частота. К примеру, DDR4-2133 (эффективная частота), а реальная частота составляет 1066 МГц, так как изначально делим на 2 (это так сделано производителями RAM). Получаем формулу перевода таймингов в наносекунды, где CL 15-15-15-36 умножаем на (коэффициент 1000 разделенный на 1066 реальную частоту памяти в МГц, если величина МТ/c, то коэффициент будет 2000, а не 1000.

Формула из расчета, если DDR4 в МГц 1066 mhz и CL 15, то:

• Время задержки = 15 × (1000 / 1066) = 14 нс

Формула из расчета, если DDR4 в МТ/c 2133 MT/s и CL 15, то:

• Время задержки = 15 × (2000 / 2133) = 14 нс

Таблица с расчетом тайминга задержки в наносекундах для DDR4 и DDR5 памяти

DDR5 с высоким CL и частотой не всегда будет иметь низку задержку тайминга, чем DDR4. К примеру:

• DDR4-3600 CL18 -> 10 нс.
• DDR5-6000 CL36 -> 12 нс (но пропускная способность выше).

Лучшие тайминги для памяти DDR4 и DDR5

Таблица оптимальных таймингов оперативной памяти DDR4 и DDR5 в рамках стандартов JEDEC и популярных XMP/EXPO‑профилей. 

💡Лучший выбор для безопасности, стабильности и низкой скорости задержки таймингов, в отличие по умолчанию или авто. Для DDR4 3200 CL 14‑14‑14‑34 и DDR5 6000 CL 30‑36‑36‑76.

Таблица оптимальных таймингов оперативной памяти DDR4 и DDR5 для игр

💡Для DDR4 лучшим выбором для игр остаётся 3200 CL14 или 3600 CL16. Для DDR5 6000 CL30 как оптимальный баланс стабильности и задержки.

Таблица оптимальных таймингов оперативной памяти DDR4 и DDR5 для работы рендеринга

💡Лучшим выбором для рендеринга, 3D‑моделирования, VFX и прочих тяжёлых рабочих задач, является Для DDR4 3200 CL14 или 3600 CL18. Для DDR5 6000 CL30 и 6400 CL34.

Как правильно задать тайминг оперативной памяти DDR4 и DDR5

1. Самый простой и безопасный способ, это активировать D.O.C.P. и или XMP-профиль в BIOS и выбрать готовый настроенный профиль от производителя. Если профили существуют (их может не быть или быть один), то выберите DDR4 с максимальной частотой 3600 и низким CL16. Это касается и DDR5. Преимущества в том, что XMP-профили автоматически устанавливает оптимальные тайминги и напряжение.
2. Если желаете вручную настроить тайминг RAM, то запомните текущие тайминги в программе CPU-Z и выставляйте в BIOS, уменьшая их на 1 пункт К примеру, текущий тайминг 15-15-15-36, уменьшить его до 14-14-14-35. Сохраните F10 и потестируйте день, после чего уменьшите еще на 1 пункт.
   • Если будут какие-либо проблемы, то добавьте вольтаж. Не превышайте вольтаж DRAM Voltage (VDIMM) -> 1.35В.
   • Если ПК или ноут не включаются, то выключите на физическую кнопку, подождите и включите. В противном случае, придется доставать батарейку CMOS, чтобы сбросить параметры BIOS.
   • Если будут ошибки BSOD и вылеты из игр и программ, то верните значения по умолчанию или сбросьте BIOS до заводских.
3. При помощи программы CPU-Z можно посмотреть готовые профиля тайминга своей оперативной памяти и выставить по ним. К примеру, если в BIOS выставить частоту RAM на 1600 МГц (не забываем, что в BIOS указана MT/c, это 3200), то профильный тайминг будет 16-18-18-38-56 с вольтажом 1.35В. Выставьте данные параметры вручную в БИОСе.
   • В CPU-Z во вкладке "SPD" данные зашиты в микросхему Serial Presence Detect на самой планке оперативной памяти. Эта таблица стандартных профилей работы модуля, которые производитель записал в SPD‑чип. Опирайтесь на них для не экстремальной настройки тайминга.

⚡Напряжение DDR4:

• DRAM Voltage: 1.35-1.40V (для 3200-3600 МГц)
• VCCSA: 1.15-1.25V
• VCCIO: 1.15-1.20V

⚡Напряжение DDR5:

• DRAM Voltage: 1.30-1.40V
• VDDQ Voltage: 1.30-1.40V
• VPP Voltage: 1.80-1.90V

Как настроить тайминги памяти в BIOS (UEFI)

1. Зайдите в BIOS/UEFI и перейдите найдите параметр в дополнительные параметры Advanced Mode нажав F7, если современная материнская плата или ноутбук. В любом случае поищите в поиске Google по картинкам "Как настроить тайминг памяти в BIOS Asus" и полное имя модели материнской платы или ноутбука. В моем случае это вкладка "AI Tweaker" и в пункте "AI Overlock Tuner" выбрать D.O.C.P, чтобы активировать  выбор профиля. Появится сам пункт ниже "D.O.C.P" или XMP/EXPO, где можно выбрать уже готовый оптимизированный профиль. Нажмите F10, чтобы сохранить и выйти, если устраивает тайминги.
   • На ASUS: вкладка Ai Tweaker ->DRAM Timing Control.
   • На MSI: OC -> Advanced DRAM Configuration.
   • На Gigabyte: M.I.T. -> Advanced Memory Settings.
   • На ASRock: OC Tweaker -> DRAM Configuration.
2. Если нужно вручную настроить тайминги оперативной памяти, нажмите ниже "DRAM Timing Control" (изображение выше). Выставьте нужные значения CL-tRCD-tRP-tRAS-tRC тайминга для RAM опираясь на все выше сказанное и не забываем про напряжение, если необходимо. Нажимаем F10, чтобы сохранить и тестируем день.

---